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半导体芯片制造工(五级)
半导体芯片制造工/外延工/
0.0
56
视频
30.8
课时
150.00
介绍
目录

课程概述

本课程包含半导体芯片制造基础知识、气相外延、分子束外延及其他外延方法、外延缺陷与外延层检测、CVD工艺原理、光刻工艺流程,干、湿法刻蚀,非晶态电镀及电镀展望等知识。

课程目标

通过本课程学员需要掌握:半导体芯片制造基础知识、工艺环境、外延生长、氧化、扩散、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、退火、电子真空镀膜、工艺监控、半导体器件和集成电路电镀等知识和技能。

考核评价

考核的重点是:外延生长、化学气相淀积、光刻、刻蚀和工艺监控等板块。共20题。

讲师介绍

甄珍珍

详细介绍

适用学习对象:从事操作外延炉、高温氧化扩散炉、光刻机、淀积台等设备,制造半导体分立器件、集成电路、传感器芯片的人员。

主要学习内容为:半导体芯片制造基础知识、工艺环境、外延生长、氧化、扩散、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、退火、电子真空镀膜、工艺监控、半导体器件和集成电路电镀。

重点难点:外延生长、化学气相淀积、光刻、刻蚀和工艺监控等内容。

半导体芯片制造基础知识
01.半导体集成电路基本知识

(2756s)

02.衬底材料

(2783s)

03.硅晶体的结构特点

(2820s)

04.硅片的制备

(2832s)

外延生长
01.外延概述

(2777s)

02.气相外延(一)

(2768s)

03.气相外延(二)

(2801s)

04.分子束外延及其他外延方法

(2735s)

05.外延缺陷与外延层检测

(2733s)

氧化、扩散
01.氧化层的质量及检测

(2837s)

02.扩散工艺条件与方法

(2783s)

03.扩散工艺质量及检测

(2814s)

化学气相淀积
01.CVD工艺原理

(2765s)

02.CVD工艺方法

(2793s)

03.二氧化硅薄膜的淀积

(2907s)

光刻
01.光刻工艺流程

(2738s)

02.光刻技术中的常见问题

(2810s)

03.光刻掩膜版的制造

(2735s)

04.光刻胶

(2743s)

刻蚀
01.湿法刻蚀

(2790s)

02.干法刻蚀

(2744s)

03.刻蚀设备及检测

(2762s)

离子注入
01.离子注入原理

(2742s)

02.离子注入设备与工艺

(2711s)

退火
01.退火

(2740s)

电子真空镀膜
01.蒸镀原理及设备

(2741s)

02.蒸镀工艺及质量控制

(2790s)

03.溅射原理及方法

(2723s)

半导体器件和集成电路电镀
01.合金电镀与复合电镀

(2783s)

02.非晶态电镀及电镀展望

(2741s)

资源方logo

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482

门课

3538

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