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半导体芯片制造工(四级)
半导体芯片制造工/外延工/
0.0
87
视频
36.1
课时
175.00
介绍
目录

课程概述

本课程包含半导体制造工艺作业过程、半导体制造工艺质量控制,具体包含工艺环境、来料检查、氧化、光刻、外延生长、刻蚀、化学气相淀积、离子注入、及金属化作业等相关知识。

课程目标

通过本课程学员需要掌握:工艺环境、来料检查、外延生长、氧化、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化等知识和技能。

考核评价

考核的内容包括:工艺环境、来料检查、外延生长、氧化、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化。考核的重点是:来料检查、外延生长、化学气相淀积、光刻、刻蚀和金属化等板块。

讲师介绍

甄珍珍

详细介绍

适用学习对象:从事操作外延炉、高温氧化扩散炉、光刻机、淀积台等设备,制造半导体分立器件、集成电路、传感器芯片的人员。

主要内容:半导体制造中沾污的来源与控制及工艺环境的要求、半导体制造工艺过程中需要进行质量测量的性能参数、外延生长工艺与原理及外延生长中的故障排除、氧化工艺过程和原理及氧化工艺使用的设备、不同的化学气相淀积工艺方法及PVD使用的工艺设备、光刻工艺流程及光刻使用的设备、光刻过程中需要监控的参数、干法刻蚀与湿法腐蚀及其使用的设备、扩散工艺原理及过程、离子注入工艺及所使用的设备、真空蒸镀及溅射金属化工艺及在金属化过程中的质量监控等知识和技能。

工艺环境
01.沾污的类型

(2804s)

02.沾污的源与控制(一)

(2776s)

03.沾污的源与控制(二)

(2753s)

来料检查
01.硅片的湿法清洗

(2761s)

02.质量测量(一)

(2781s)

03.质量测量(二)

(2768s)

04.质量测量(三)

(2778s)

氧化
01.热氧化生长

(2812s)

02.氧化设备

(2776s)

03.氧化工艺

(2777s)

化学气相淀积
01.膜淀积

(2760s)

02.化学气相淀积

(2773s)

03.CVD淀积系统(一)

(2861s)

04.CVD淀积系统(二)

(2778s)

外延生长
01.外延

(2823s)

光刻
01.光刻工艺

(2768s)

02.光刻工艺步骤(一)

(2804s)

03.光刻工艺步骤(二)

(2785s)

04.光学光刻

(2784s)

05.显影及坚膜

(2771s)

06.光刻设备

(2880s)

07.光刻质量控制

(2785s)

刻蚀
01.刻蚀工艺

(2748s)

02.干法刻蚀与湿法腐蚀

(2834s)

03.干法刻蚀的应用

(2801s)

04.等离子体刻蚀反应器

(2735s)

05.去胶及刻蚀检查

(2776s)

离子注入
01.扩散

(2766s)

02.离子注入

(2817s)

03.离子注入机

(2881s)

金属化
01.真空及真空泵

(2783s)

02.金属类型

(2942s)

03.蒸发、金属CVD及电镀

(2771s)

04.溅射

(2759s)

05.金属化方案及质量监控

(2758s)

资源方logo

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482

门课

3969

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